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通用I/O FLASH

HS23F2251

HS23F2251是接纳低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内建了2K*16-bit的FLASH、128 Byte的EEPROM、128Byte 的SRAM，包括3个12位PWM及3个8位PWM，同时包括了可设置的端口较量器�？�。

产品概述

产品详情

◆ 42条RISC指令，除了跳转指令是两个周期，所有的指令都是单周期

◆ 14位宽指令，8位宽数据路径，5级深度硬件客栈

◆ 支持GOTO指令全ROM跳转、支持全ROM子程序挪用

◆ 2K×14的程序存储器

◆ 128 × 8位 EEPROM数据存储区

◆ 128 × 8位通用寄存器，直接、间接寻址方法

◆ 拥有1个可编程预分频器的8位实时时钟/计数器（TMR0）

◆ 拥有1个可编程预分频器的12位实时时钟/计数器（TP0）

◆ 拥有1个可编程预分频器的16位实时时钟/计数器（TC0）

◆ 3路由TC0控制的8位PWM及BUZ

◆ 1组带死区的12位PWM，可设置为3路12位PWM

◆ 可设置的端口较量器资源

◆ 内部上电复位电路（POR）、内置欠压复位（BOR）

◆ 上电复位准时器（PWRT）和振荡器启动准时器（OST）

◆ 看门狗准时器（WDT）使用内部晶振可靠性高，由软件使能或榨取

◆ 2组I/O口，可设置上拉、下拉和开漏等状态

◆ 4种事情模式可恣意切换：正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式

◆ 叫醒睡眠：INT/INT1管脚中止、IOB的输入状态改变、TC0溢出叫醒、COMP叫醒

◆ 叫醒绿色：INT/INT1管脚中止、IOB的输入状态改变、TC0溢出叫醒、COMP叫醒、TP0溢出叫醒

◆ 省电休眠模式，可编程代码�；�

◆ 可选的振荡器选项：内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器

◆ 7种可用中止：TMR0溢出中止、TC0溢出中止、IOB端口转变中止、INT/INT1中止、TP0溢出中止、COMP较量中止

◆ 宽事情电压规模：2.2V至5.5V

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